ハイパワー、ハイパフォーマンス

世界中どこからでも情報にアクセスしたいとの要求から、情報の無線通信分野が拡大するにつれ、無線通信システム内のRFパワーデバイスやGaNやSiCなどの新しい技術が重要視されています。このため、新しいデバイスモデルの開発時間を大幅に短縮できる、ウェーハレベルでの測定の必要性が高まっています。これらのデバイスモデルは、ICの設計や、無線通信装置（基地局、衛星等）の開発に使われています。

RFパワーデバイスの正確な測定のため、|Z|プローブ・パワーは、|Z|プローブのテクノロジーをベースに高い周波数（40 GHz）までハイパワーを取り扱うことができます。さらに|Z|プローブ・パワーは、RFパワーデバイスの評価で重要なロードプル測定において重要な優れた再現性と低い接触抵抗を提供します。 ロードプルやノイズパラメータ測定では、高い反射係数（Γ）を得るために低い挿入損失が必要ですが、|Z|プローブ・パワーは非常に低い挿入損失となるよう設計されており、非50Ω環境においてより正確な測定を実現します。

特長と利点

• ハイパワー－2.4GHzで66W、5GHzで43W
• 40GHzまで0.4dB以下の低挿入損失（代表値）
• 低い接触抵抗
• あらゆるパッド材質に対応
• 長い寿命―百万回以上のコンタクトを実現