|Z|プローブ・シリーズ
|Z|プローブ・シリーズ
RFおよびマイクロ波のウェーハ・プローブの|Z|プローブ® ファミリーは、お客様の高周波デバイステストに革命をもたらしました。被試験デバイスへの（DUT）のかつてないほど簡単で少ないオーバートラベル量によりコンタクトが出きるため、従来のプローブに比べて長寿命です。実際に100万回以上のコンタクトが保証されます。
|Z|プローブ
|Z|プローブは、極めて長寿命で低温から高温までの広い温度範囲に適応しています。標準的な使用法とオーバートラベルで使用した場合、100万回のコンタクトを保証します。最先端の１MX™テクノロジーにより、挿入損失やリターンロスといった電気特性は、薄膜やマイクロコアキシャルプローブといった以前の技術に比べ格段に優れた性能を発揮します。DUTへのコンタクトは、簡単かつ極めて再現性が高く、オーバートラベルを最小限に抑えることができます。各々のプローブチップが独立して動くため、3次元ストラクチャやオンウェーハで、50μmまでのパッドの段差を吸収することができます。 [詳細]
デュアル|Z|プローブ
デュアル|Z|プローブは、最先端の１MX™テクノロジーによる機能強化を図っています。電気的なパフォーマンス、特に、挿入損失とリターンロスについては、薄膜あるいはマイクロ同軸プローブといった技術に比べ、格段に優れています。さらにプローブ（針）内の絶縁（クロストーク）についても顕著な向上が見られ、これにより高精度なウェーハレベル高周波およびマイクロウェーブ測定を可能にしています。 [詳細]
