プローブ

オン・ウェーハ、パッケージ、基板レベルでの様々な測定用途に合わせて50種類以上のライン・アップを提供しております。高周波、DC、不良解析、差動、ロードプル、ノイズ測定等のアプリケーション用途のプローブ・ヘッドをご紹介いたします。

高周波プローブ

DC～325GHzまで対応した同軸および導波管高周波プローブを多数ご紹介します。RF CMOSの安定したプロービングに最適なインフィニティ･プローブ、2AまでのDCバイアス印加が可能なインフィニティ･プローブHCモデル、平衡/差動測定用プローブ、先端に柔軟性があるエア･コプレナ･プローブなど様々なラインアップをご用意しております。

RFIC/ファンクションテスト用プローブ

高速デバイス電源供給用バイアス･プローブ、RF/DC/パワーの混在するプロービングに対応したマルチコンタクト･プローブ(最大25ピン、110GHz)、光通信デバイス用プローブなど、様々なラインアップをご紹介します。

DCパラメトリック・プローブ

オン･ウェーハのデバイス特性評価測定、信頼性テストにおいて、高温でも安定した高性能な測定が可能です。

パワーデバイス用プローブ

低いコンタクト抵抗で60A、3000Vまでのオン･ウェーハのデバイス特性評価測定用のプローブです。高温でも再現性の高い測定を可能にします。

ボードテスト、基板測定用プローブ

ボードテスト・基板測定用プローブは、高速、高密度ICの特性評価や不良解析の測定を可能にします。

インピーダンスマッチング・プローブ

エア・コプレナ･プローブの技術を駆使して設計されており、リアクティブタイプとレジスティブタイプがあります。ロードプル測定の同調範囲を改善することが可能です。また、低インピーダンスのパワーデバイスの高精度オン・ウェーハ測定を実現します。

極低温プローブ

ACPシリーズ極低温型プローブは、広い温度範囲(-263～150℃)で高精度のRF測定を実現します。プローブ先端は熱による歪みが少なく、極低温でもプローブ先端のジオメトリの変化は最小限に保たれます。

The |Z| Probe® family of RF and microwave wafer probes revolutionized the way you test your HF devices. Contacting your device under test (DUT) has never been easier and uses less overtravel than other wafer probes, which means less crashes and a longer probe life. In fact, the |Z| Probe is guaranteed to last for over one million (1,000,000) contacts.