Tesla:晶圆上功率器件特性描述系统
Power Devices
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Tesla 解决了薄晶圆、功耗以及电流/电压要求的难题

- 高电流参数(HCP)探针专为满足 Rds(on) 测量要求而设计。独特的设计最大限度地抑制了探针至晶圆触点上的热失控,并支持高达 10A(在连续模式中)和高达 60A(在脉动模式中)的电流。
- 高电压参数(HVP)探针在高达 3000V 的电压条件下实现了漏电流低至 1pA 的击穿电压测量。
- Exclusive Vacuchannel™ 吸盘技术运用针对薄晶圆(薄至 100μm)的先进传送方法满足了当今功率器件晶圆的需要。此外,Vacuchannel 技术传送功率耗散器件的方式也不同于市面上现有的其他解决方案,实现了功耗高达 75W 的器件的晶圆上测量。
| Tesla: The first complete system for on-wafer power device characterization | |
|---|---|
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| Product Brochure | System Highlights |
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| Datasheet | Q & A |
| Overcoming the challenges of wafer-level power device characterization | ||||
|---|---|---|---|---|
| Challenge | High Current Probe | High Voltage Probe | Vacuchannel Chuck | T200 Station |
| Handling thin wafers | ||||
| Rds(on) Measurements | ||||
| High-current probe burnout | ||||
| Low-leakage measurement at high voltage | ||||
| Safety for device, operator and probing equipment | ||||





