Tesla オン･ウェーハ・パワーデバイス測定システム
パワーデバイス測定
関連資料
- SiC、GaN等、高電圧・大電流パワーデバイス（縦型／横型）測定に最適
- 高（低）温、低接触抵抗環境で、最大3,000 V (triax)/10,000 V (coax), 60 A (pulsed) / 10 A (DC) まで対応
- 標準温度範囲：-55℃～300℃
- 組み込み完全ソリューションを提供（プローブ、ケーブル、温度コントロール、インターロックシステムシステムまで）
- パワーMOSFETをパッケージする前に、高精度なRDSON、各種耐圧／容量ほかの測定が可能
- 各種測定器との接続サポート
